（文/赖家琪 编辑/吕栋）
长鑫科技，这家中国存储芯片领域的领军企业，正着手加速产能扩张步伐。
据英国路透社8月3日报道，援引两名知情人士的说法，长鑫正在酝酿于北京筹建第二座存储芯片工厂，目前正与一家由当地政府支持的科技制造产业平台就融资事宜展开谈判。
消息人士透露，这座新厂拟选址北京经济技术开发区（即北京亦庄），距离长鑫在亦庄已运营的动态随机存取存储器（DRAM）晶圆厂仅约20公里。长鑫方面已向开发区管理机构申请至少6000万元人民币的资金支持，与此同时，其他国有科技企业也表现出参与融资的兴趣。
不过，知情人表示，相关谈判尚处于初期阶段，最终融资金额及具体方案仍有调整空间。至于这笔资金是经由开发区管理机构直接拨付，还是通过其下属投资平台注入，目前尚无定论。
观察者网就此联系长鑫方面，截至发稿未获回应。
8月4日，长鑫科技股价呈现高开低走态势，午间收盘时下跌0.53%，市值报3.66万亿元。
路透社报道指出，此次北京新厂规划，系长鑫大规模扩张战略的一环。受全球人工智能（AI）基础设施投资热潮驱动，芯片短缺现象加剧，长鑫亟需提升产能。就在上个月月底，该公司刚刚完成首次公开发行（IPO），募资总额高达579.19亿元，创下科创板IPO历史最高纪录。
此前有媒体报道称，长鑫不仅在上海和合肥新建工厂，还与其他地方政府探讨增设生产基地的可能性。若上述项目悉数落地，公司整体产能有望实现翻倍，月产量将突破60万片晶圆。
长鑫存储（长鑫科技集团股份有限公司）位于北京亦庄的总部视觉中国
据知情人士介绍，长鑫目前在合肥运营着两座12英寸DRAM晶圆厂，在北京运营着一座12英寸晶圆厂，单厂月产能约为10万片晶圆。按计划，北京新厂也将采用12英寸生产线，主攻DRAM产品。
DRAM作为电脑、智能手机等电子设备的核心存储元件，亦是AI时代数据中心建设的关键基础组件。
近两年，随着AI大模型迅猛发展，全球科技巨头竞相扩建数据中心，对高性能存储芯片的需求激增。三星电子、SK海力士和美光科技等国际存储巨头纷纷将现有产能转向利润率更高的高带宽存储器（HBM）及服务器DRAM，导致传统DRAM供应趋紧，存储市场重回涨价周期，这为长鑫提供了宝贵的增长窗口。
全球行业分析机构Counterpoint Research数据显示，全球DRAM市场长期由三星电子、SK海力士和美光科技三巨头主导，今年第一季度，这三家公司合计占据全球近90%的市场份额。
紧随其后，长鑫已跃升为中国第一、全球第四的DRAM厂商。市场研究机构Omdia数据表明，长鑫2025年第四季度全球市场份额达到7.67%。野村证券近期分析指出，长鑫在全球DRAM市场的占比约为10%，预计到2028年底这一比例将升至18%。
8月1日，一位接近长鑫科技的知情人士向观察者网透露，长鑫的LPDDR6芯片研发验证工作已接近尾声，距首发量产更进一步。这意味着，在全球LPDDR6首发量产的竞争中，中国企业已与韩国巨头并驾齐驱。
许多看好长鑫的分析人士认为，在中国推动科技自主化的背景下，该公司有望在DRAM市场抢占更多份额。
中国市场存在明显的供需缺口，长鑫及其他本土企业有机会填补这一空白。基于对未来市场份额增长的乐观预期，野村国际控股分析师唐尼·滕（Donnie Teng）给予长鑫116元人民币的目标价，这是目前市场分析师中的最高水平。长鑫上市首周股价暴涨523%，8月3日收于54.99元人民币/股。
新加坡老虎基金管理公司首席执行官杰里米·陈（Jeremy Tan）指出，IPO融资带来的资金支持，使长鑫“拥有更强的实力扩大供应”。
“正如我们在许多技术领域所见，中国可以迅速赶上。”他说。
