芯片制造全流程中，光刻设备占据着核心地位。讲起EUV光刻机，那更是制造七纳米以下晶片的要害，全球唯ASML掌握，偏偏美国又不准其对中国出口，由此可见其分量有多重。
因缺少EUV设备，我国在迈向七纳米以下工艺时步履维艰。尽管取得诸多突破，即便采用多重曝光技术成功研制出七纳米、五纳米芯片，然而良率与成本却始终不占优势。
当芯片工艺演进至三纳米、二纳米阶段，物理极限与经济性约束同时浮现。晶体管微缩之路已达尽头，芯片发展转入了全新阶段。这个阶段，便是三维技术，或通过堆叠，或借助三维封装，力求将原本平面的芯片构建成立体构造，既无需持续微缩晶体管，也能达成性能飞跃。
进入三维技术的范畴，决定性的设备或许已非光刻机莫属。此刻刻蚀机与混合键合机显得尤为关键。刻蚀机主要用于芯片制造环节，而混合键合机则侧重封装工艺。因此，从前端产业看，刻蚀机才是重中之重。
刻蚀机与光刻机的作用是相辅相成的。光刻机负责将芯片电路图通过光线照射到硅晶圆上，而刻蚀机则是把已曝光的晶圆上非必要部分腐蚀掉，仅留下所需的电路图案。在芯片平面结构时期，光刻机作用更突出。但随着立体结构的普及，晶体管排列愈发复杂，刻蚀机的作用日益凸显，其重要性已超越光刻机，堪称决定芯片性能的关键工艺。
与光刻机遭遇的困境不同，我国在刻蚀机领域已达到国际一流水准。国内刻蚀设备领军企业中微公司的工艺技术，早已达到三纳米水准，完全不逊色于全球顶尖厂商。更为关键的是，中微公司的刻蚀机已实现零部件全部百分之一百国产化，真正实现自主可控，完全不依赖国外技术元件，彻底规避被卡脖子的风险。
由此可见，随着芯片产业不断前行，步入三维时代之后，我国的底气会愈发充足。再加上华为的布局，中国芯片产业腾飞之势已不可逆转。
